目标图2Ti3C2Tx合成和拉曼峰分配。

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在其原子组装生长过程中，制方拓扑缺陷、带隙和原子组装速率之间存在着密切关系。文章通讯作者为魏飞教授和朱振兴博士，目标第一作者为清华大学化工系2018级博士生高俊，目标参与该综述的还有清华大学化工系申博渊博士及博士生白云祥、孙斯磊。

碳纳米管生长中拓扑缺陷、上网带隙和原子组装速率关系的示意图2月19日，上网清华大学化学工程系魏飞教授团队在《先进科学》（AdvancedScience）上在线发表题为带隙耦合的模板自催化动力学促进高纯sp2纳米碳材料生长（Bandgap-CoupledTemplateAutocatalysistowardtheGrowthofHigh-Puritysp2 Nanocarbons）的综述论文。

然而，元千印发源严格控制纳米碳材料的无缺陷结构和半导体纯度仍然是制约高性能碳基芯片应用的关键问题。如果出现使用故障，瓦时完善按下诊断按键，机器会用语音对故障进行解释，并告知用户简单的处理方案，帮助用户快速将机器调节至最佳状态。

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